一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法.pdf

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本发明具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法。氮化硅基陶瓷材料具有良好的机械性能及稳定性，制备高性能的Si3N4/SiC陶瓷材料有望在工业领域获得广泛的应用。本发明提供了一种基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料制备方法，以α‑Si3N4为基体，TiC为增强相，Al2O3和Y2O3为烧结助剂，经湿法球磨混料、干燥后进行放电等离子烧结，烧结温度1650‑1750℃，保温时间20‑35min。本发明制备的Si3N4/TiC陶瓷材料具有良好的烧结致密性，陶瓷材料的抗弯强

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112266251 A (43)申请公布日 2021.01.26 (21)申请号 202011180494.8 (22)申请日 2020.10.29 (71)申请人齐鲁工业大学