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本发明涉及高密度功率器件，在背面金属上设有第一导电类型衬底、第一导电类型外延层；有源区内，在第一类沟槽下段内设有屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅与绝缘介质下层，在第一类沟槽上段侧壁设有栅氧化层、栅极导电多晶硅与绝缘介质上层；终端区内，在第二类沟槽内设有屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅与绝缘介质上层；第一导电类型外延层的上部设有第二导电类型体区，在部分第二导电类型体区上部设第一导电类型源区；第一导电类型外延层上设正面金属，正面金属部分区域与第二导电类型体区接触，部分区域与第一导电类型源区接触。本发明通过原胞无
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259600 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011276079.2 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人 无锡先瞳半导体科技有限公司
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