一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管.pdf

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本发明公开了一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管，依次包括基板，设置于基板之上的n型层，产生六棱锥凹坑构造的准备层，含有六棱锥凹坑的单量子阱或多量子阱结构的发光层和p型层。所述p型层完全填充产生于准备层并贯穿发光层的六棱锥凹坑，同时高于发光层平面之上的厚度介于0nm‑‑30nm之间。此结构既能实现空穴经由六棱锥凹坑侧壁高效率地注入至发光层，同时可有效减少p型层对发光层发出的光的吸收，并减少p型层侧面的出光，从而提升氮化物发光二极管的电光转换效率和正面出光比例。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242465 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202010932387.X (22)申请日 2020.09.08 (71)申请人南昌大学地址 33