半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件中的有源层包括沿所述堆叠方向设置的第一量子阱层和第二量子阱层，其中，所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差为10nm至20nm，通过设置所述第一量子阱层与所述第二量子阱层的波长差异，使得所述有源层同时具备两类型量子阱，所形成整体的材料增益是由两组不同波长位置的材料增益所叠加，实现了单一半导体器件同时制作MWDM规范的2个通道半导体器件或是LWDM规范的4个通道半导体器件，有别于一般一片半导体器件只做一通道半导体器件的技术，有利于提升生产效率与良

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234435 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011461680.9 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人陕西源杰半导体技术有限公司