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一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法.pdfVIP

一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法.pdf

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    本发明公开了一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法，该方法步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN膜层；在所述AlN膜层上外延生长第一AlGaN薄膜层；在所述第一AlGaN薄膜层上采用氢气腐蚀出位错坑；在所述位错坑表面原位沉积SiN位错湮灭层；在所述SiN位错湮灭层上外延生长第二AlGaN薄膜层。本发明通过在第一AlGaN薄膜层上先腐蚀出位错坑再进行SiN原位填补的方式，一方面能够使第二AlGaN薄膜层及后续膜层在生长过程中便同步进行了图形化处理，避免了将外延片取出进行复杂的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242459 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202011052794.8 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 苏州紫灿科技有限公司

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