包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL).pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL).pdf

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一种包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)，包括GaAs基板、下DBR层、下间隔层、主动区、上间隔层及上DBR层。下DBR层或上DBR层分别包含多层的低折射率层及多层的高折射率层，下DBR层、下间隔层、上间隔层或上DBR层包含AlxGa1‑xAs1‑yPy，其中AlxGa1‑xAs1‑yPy的晶格常数大于GaAs基板的晶格常数，借此适度减少因为晶格不匹配而产生过大的压缩应力或避免长晶时产生拉伸应力，从而减少VCSEL磊芯片变形翘曲或制造时发生破片的机会，或避

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242642 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202010691407.9 (22)申请日 2020.07.17 (30)优先权数据 108125675