浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法.pdf

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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法。包括：提供半导体硅衬底，刻蚀半导体硅衬底形成浅沟槽结构；在浅沟槽结构的内壁上形成第一氧化层；在浅沟槽结构的第一氧化层表面上生长形成氮化硅层；向生长形成有氮化硅层的浅沟槽隔离结构中，填充隔离介质层；去除位于浅沟槽结构顶角周侧的氮化硅层，使得剩余氮化硅层的顶端与半导体硅衬底上表面之间形成高度差，使得浅沟槽结构顶角周侧与隔离介质层之间形成凹槽；去除位于凹槽中的第一氧化层，使得位于凹槽中的半导体硅衬底表面外露；通过湿氧氧化工

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234024 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011292942.3 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司