发光二极管芯片及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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发光二极管芯片及其制作方法.pdf

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本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括透明基板、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极、绝缘层、N型焊盘、P型焊盘和保护层；外延层上设有凹槽和隔离槽；N型电极设置在N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上；绝缘层铺设在除N型电极和P型电极所在区域之外的区域上，绝缘层内设有第一通孔和第二通孔；N型焊盘设置在第一通孔内和绝缘层上，P型焊盘设置在第二通孔内和绝缘层上；N型焊盘和P型焊盘均包括依次层叠的腐蚀敏感层、腐蚀迟钝层和焊接层，保护层插设在N型

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112216782 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 202010872056.1 (22)申请日 2020.08.26 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司