化合物半导体异质结双极晶体管.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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化合物半导体异质结双极晶体管.pdf

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本发明提供一种化合物半导体异质结双极晶体管，包括发射区层及基区层的结构，在将赝晶生长InGaAs用于基区层的GaAsHBT中，降低在发射区层与基区层的界面产生的传导带能垒对作为功率放大器的特性的影响。第一发明中，将具有CuPt型秩序的InGaP用于发射区层。第二发明中，使赝晶生长InGaAs基区层的发射区层侧的部分的p型杂质浓度低于集电区层侧。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242438 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20201