半导体装置的制造方法及金属的层叠方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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半导体装置的制造方法及金属的层叠方法.pdf

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实施方式提供一种能够将使用非电解镀的金层的形成时间缩短的半导体装置的制造方法及金属的层叠方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、有选择地设于上述半导体部上并与上述半导体部电气地连接的电极、和设于上述电极上的多层的金属层。在上述半导体装置的制造方法中，在上述电极上有选择地形成第1金属层；形成将在上述第1金属层上形成覆盖的钯层；形成将在上述钯层上形成覆盖的第2金属层；将上述第2金属层置换为金层，在上述钯层上直接形成金层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242306 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20201