半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底上具有介质层，所述第一区上的介质层内具有第一栅极开口，所述第二区上的介质层内具有第二栅极开口；在所述第一栅极开口底部和第二栅极开口底部形成一层或多层初始功函数层；采用至少一次循环刻蚀步骤刻蚀第一栅极开口内所述初始功函数层，在第二栅极开口内形成功函数层，每次所述循环刻蚀步骤包括：采用氧化物刻蚀工艺刻蚀所述初始功函数层；在氧化物刻蚀工艺之后，采用主刻蚀工艺刻蚀所述初始功函数层，去除一层暴露出的初始功函数层。所形成的半

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242299 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20191