单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法.pdf

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本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面，平坦表面停留在介质层表面，且在所述介质层中刻蚀出种子槽；3)沉积非晶硅层于种子槽及介质层表面，抛光形成平坦表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶，形成单晶硅层，以形成所述单晶硅局域SOI衬底；4)于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SO

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242342 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20191