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本发明公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112186065 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010934611.9 (22)申请日 2020.09.08 (71)申请人 华南理工大学 地址
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