一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器.pdf

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本发明属于半导体的技术领域，公开了一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，自上而下包括钉扎层、势垒层和自由层，在所述钉扎层的顶面、自由层的底面分别设置有读操作电极，在所述自由层的左右两端均设置有写操作连接区域，所述写操作连接区域具有钉扎效应，用于存储器写操作时的电连接，所述自由层的磁畴壁左右两侧的磁畴方向相反，且位于左端的写操作连接区域与磁畴壁左侧的磁畴方向一致，位于右端的写操作连接区域与磁畴壁右侧的磁畴方向一致。整体结构简单，效率高，适应性强，极具应用前景。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185441 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010896102.1 (22)申请日 2020.08.31 (71)申请人上海