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本发明涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用,属于半导体材料技术领域,包括单晶炉、循环水系统,所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道,循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉,经过单晶炉后再依次经支路管道、主管道流回循环水箱,所述单晶炉进水管道上设置有循环水流量调节阀和温控装置,单晶炉出水管道上设置有测温装置,本发明结构可根据上轮的晶体生长结果对下一轮的温场进行微幅度修正,该发明具有降低生产成本、提高单晶率、弥补温场缺陷等作用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112176397 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011139757.0 (22)申请日 2020.10.22 (71)申请人 云南鑫耀半导体材料有限公司
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