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本发明公开了一种上电检测电路及上电检测方法,包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第一反相器、第二反相器和D触发器;第一PMOS晶体管的栅极、源极和体连接电源VDD,漏极连接第一NMOS晶体管的源极、漏极和体、第一反相器的输入端IN和D触发器的输入端D;第一反相器的输出端OUT连接第二反相器的输入端IN;D触发器的输入端R连接复位信号RESET,D触发器的输入端CLK连接第二反相器的输出端OUT,输出端Q输出上电检测信号P。本发明采用纯CMOS电路实现上电检测功能,检测完成后无动态功耗,功
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112187232 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010927387.0 (22)申请日 2020.09.07 (71)申请人 上海威固信息技术股份有限公司
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