用于毫米波应用的基于氮化镓的跨电容器.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。半导体可变电容器通常包括：第一半导体区，该第一半导体区具有第一掺杂类型；第二半导体区，该第二半导体区具有不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；第三半导体区，该第三半导体区布置在该第一半导体区和该第二半导体区之间：第一端子，该第一端子布置成毗邻于该第一半导体区；第二端子，该第二端子布置成毗邻于该第二半导体区；以及第三端子，该第三端子布置在该第三半导体区上方。该第一半导体区、该第二半导体区和/或该第三半导体区包括氮化镓。该第三半导体区包括具有不同材料的多个半导体

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112189263 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 201980034678.2 (74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公