用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构.pdfVIP

下载本文档

2
0
约3.08万字
约 45页
2023-05-23 发布于四川
举报
版权申诉

用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构.pdf

1、本文档共45页，其中可免费阅读44页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

测试邻近的半导体器件之间的桥接的方法包括在半导体衬底上形成图案化的扩散区域，并且在扩散区域上方形成第一导电层。将第一导电层图案化成与图案化的扩散区域相同的图案。去除第一导电层的暴露部分以暴露扩散区域的部分。在扩散区域的暴露部分上方形成源极/漏极区域，并且在源极/漏极区域上方形成介电层。在介电层上方形成第三导电层。沿着第一方向去除第二导电层的相对端部以暴露第一导电层的相对的第一和第二端部。测量第一导电层的相对的第一和第二端部之间的第一导电层两端的电阻。本发明的实施例还涉及测试结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164716 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010967774.7 H01L 29/40 (2006.01)