使用3D晶体管堆叠体之间的连接来制作六晶体管SRAM单元的方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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使用3D晶体管堆叠体之间的连接来制作六晶体管SRAM单元的方法.pdf

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披露一种制作半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管结构的第一堆叠体；以及在该衬底上与该第一堆叠体相邻地形成第二晶体管结构的第二堆叠体。与该第一堆叠体相邻地形成该第二堆叠体，使得在该第一堆叠体的一端处的经堆叠S/D区面对在该第二堆叠体的一端处的相应堆叠S/D区。通过形成连接结构来连接该第一堆叠体和该第二堆叠体的第一对面对的S/D区，该连接结构在水平方向上延伸以将该第一对面对的S/D区彼此物理连接。将该第一堆叠体和该第二堆叠体的第二对面对的S/D区维持为彼此物理分离的一对分离的面对的S

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114902415 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080090747.4 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限