外延片阻值测量前处理方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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本发明涉及外延片阻值测量前处理方法，其包括步骤：(1)、清洗；(2)、甩干；(3)加热干燥；(4)除静电。本发明中外延片阻值测量前处理方法，溢流槽工艺变为溢流+快排工艺，保证晶片表面酸碱残留被冲洗干净，免于影响量测效果；利用除静电处理，消除晶片表面的静电以及悬挂键，减少阻值量测的影响。经本发明中的外延片阻值测量前处理方法处理后的外延片，其阻值均一性

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114871186 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210061622.X (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人上海晶盟硅材料有限公司地址 20