DRAM及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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DRAM及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种DRAM及其制造方法。包括半导体衬底；所述半导体衬底包括本体和突起结构；所述本体具有有源区；所述突起结构形成在所述有源区上，且构成为导电体；存储节点接触部，形成在所述突起结构上；着陆焊盘，形成在所述存储节点接触部的上方，且所述着陆焊盘的底部与所述存储节点接触部电连接。本申请实施例通过设置突起结构，使得突起结构和存储节点接触部之间的电连接更加的紧密，避免两者无法连接或者部分连接导致的接触不良。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883327 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202110161345.5 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10