半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，包括：衬底，所述衬底包括电路区和阵列区；第一隔离结构，所述第一隔离结构位于所述阵列区的所述衬底内；第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述电路区的所述衬底内，所述第二隔离结构包括：介质层；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述介质层的底部和侧壁；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述介质层的底部和侧壁，所述第二绝缘层的材料与所述第一隔离结构的材料相同，其中，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度，至少可以改善电路区内第二隔

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883393 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210474878.3 (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230