半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；若干第二沟槽，位于所述半导体衬底中所述若干第二沟槽的深度相同，所述若干第二沟槽的宽度不同；填充结构，位于所述若干第二沟槽中，不同宽度的第二沟槽中的填充结构的中心层分别为所述多个电极层中的不同电极层；若干第一沟槽，连通所述若干第二沟槽；电容器，位于所述若干第一沟槽中，所述电容器包括多个电极层以及隔离相邻电极层的绝缘层。本申请所述的半导体结构及其形成方法，制作接触结构并电连通每层电极层的工艺简单，易于实现，且制作的接触结构均匀分布于整

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883491 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210408183.5 (22)申请日 2022.04.19 (71)申请人丰非芯（上海）科技有限公司地址