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2023-05-19 发布于北京
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本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括金属栅极、源极/漏极接触件、接触件第一互连结构及第二互连结构。对接接触件(BCT)的第一互连结构(例如，栅极互连结构)被蚀刻和填充。之后回蚀第一互连结构，从而去除第一互连结构的一部分，之后填充第二互连结构和第一互连结构的剩余部分。如此，相对于在单一沉积操作中完全填充第二互连结构和完全填充第一互连结构，当填充第二互连结构时，第一互连结构的剩余待填充部分的高度更接近于第二互连结构的高度。其降低在完全填充第一互连结构之前，填充第二互连结构将闭合第一互连结构的可能

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883282 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210331150.5 (22)申请日 2022.03.30 (30)优先权数据 63/200,864 2021