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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

半导体装置及其制造方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体装置，包括衬底，其包括多个互相平行并且排列成阵列的有源区。一隔离结构，位于有源区之间。一埋入式字线，位于衬底中并且切过隔离结构和有源区。一绝缘垫层，设置在埋入式字线正下方的衬底中并且位于有源区的相邻端部之间。绝缘垫层的底面低于隔离结构的底面，可减少相邻有源区之间的漏电流。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114784091 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210406371.4 (22)申请日 2022.04.18 (71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司 地址

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