存储器及存储器的形成方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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存储器及存储器的形成方法.pdf

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一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。所述存储器的性能得到提升。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709215 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210468715.4 (22)申请日 2022.04.29 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址