结型场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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结型场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法，一种结型场效应晶体管，包括：第一导电类型的基底；至少两层阱区结构，层叠设置于基底；每一层阱区结构包括第二导电类型的第一阱区，以及位于第一阱区的相对两侧的两个第二阱区；其中，第二阱区的导电类型与第二导电类型相反，且与第一导电类型相同；漏极和源极，分别形成于最上一层阱区结构的第一阱区的相对两侧；以及栅极，形成于最上一层阱区结构的两个第二阱区；其中，相邻的两层阱区结构中，相邻的两个第一阱区彼此接触，同一侧的两个第二阱区彼此相连。在获得同样的导电能力的情况下，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709268 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210302891.0 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人上海积塔半导体有限公司地址 20