碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法。其中，碳化硅结势垒肖特基二极管包括第一金属层、衬底层、缓冲层、元胞层、过渡层、终端层、电荷扩散层和第二金属层。电荷扩散层由氮离子注入形成，元胞层、过渡层和终端层由铝离子注入形成，同时氮离子在碳化硅结势垒肖特基二极管中的浓度小于铝离子在碳化硅结势垒肖特基二极管中的浓度，因此本实施例的碳化硅结势垒肖特基二极管实现了在二极管面积相同且击穿电压不变的同时，提高二极管的正向导通能力，从而节省了二极管的面积，降低了材料成本。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709269 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210378165.7 (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人深圳市森国科科技股