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2023-05-15 发布于北京
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一种薄膜晶体管的制备方法.pdf

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一种薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成图形化的有源层(12)，在有源层和衬底基板上依次形成整层栅极绝缘层和整层栅极层(13、14)；在整层栅极层上形成图形化的光刻胶层(15)；以光刻胶层为掩膜，图形化整层栅极层以及整层栅极绝缘层(16)；以减薄后的光刻胶层为掩膜，图形化准栅极(18)；去除减薄后的光刻胶层(19)；采用PECVD工艺在衬底基板、有源层、栅极绝缘层以及栅极上形成第一绝缘层；同时，以栅极绝缘层以及栅极为掩膜介质，利用PECVD工艺中前驱气体的等离子体对有源层进行高导处理(20

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730713 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 201980102403.8 (74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司