一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法.pdf

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本发明涉及小角晶界技术领域，具体为一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法，包括整个引晶过程有三次缩径过程，为非连续缩径过程，所述第一次缩径过程拉速调控放葫芦状结节，经第二次缩径过程达到缩径目标直径，拉速调控实现第二次葫芦晶结节。该改善小角晶界缺陷的新型引晶方法，在使用CZ法拉制重掺硼晶向硅单晶过程中，因掺杂浓度影响及拉制工艺限制，小角晶界缺陷成为行业难题，在减少过冷度的基础上改进引晶方法，固化拉晶工艺，突破小角晶界缺陷障碍，引晶方式采用葫芦晶有效的排除籽晶内部缺陷，保障晶体制成过程中原子有序排列，且

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114672874 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210538760.2 (22)申请日 2022.05.18 (71)申请人宁夏中晶半导体材料有限公司地址