JBS二极管结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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JBS二极管结构及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种JBS二极管结构及其制造方法，所述JBS二极管结构包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；阴极背面金属层，N型衬底层和N型外延层自下而上依次设置；N型外延层远离N型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个沟槽区域沿第一方向分布；沟槽区域在第一方向的宽度沿第二方向连续增大；P型扩散层设置在多个沟槽区域的内壁；金属接触层位于N型外延层表面和P型扩散层表面；金属接触层与N型外延层形成肖特基接触；金属接触层与P型扩散层形成欧姆接触；金属阳极层覆盖在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695568 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011569080.4 (22)申请日 2020.12.25 (71)申请人比亚迪半导体股份有限公司地址 5