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一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法,所述电感耦合等离子处理装置包括一反应腔,反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置,其中绝缘窗中心包括一进气喷头,反应腔内还包括一基座,待处理基片位于所述基座上,所述进气喷头用于将处理气体输入反应腔中,其特征在于:所述经过进气喷头输入反应腔的处理气体包括刻蚀气体和惰性气体,其中刻蚀气体用于与待处理基片上的材料反应进行刻蚀,所述惰性气体的流量大于刻蚀气体流量的2/3。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678270 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011544771.9 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 中微半导体设备(上
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