高压半导体装置以及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于北京
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高压半导体装置以及其制作方法.pdf

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本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括半导体基底、隔离结构、栅极氧化物层与栅极结构。半导体基底包括通道区，隔离结构的至少一部分设置于半导体基底中且围绕通道区。栅极氧化物层设置于半导体基底上，且栅极氧化物层包括第一部分与第二部分。第二部分设置于第一部分在水平方向上的两相对侧，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。栅极结构设置于栅极氧化物层以及隔离结构上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695549 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011601728.1 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台