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一种铜箔的纯化方法,属于材料纯化领域。铜箔的纯化方法包括:在管式炉的中心温区放置组件,在惰性气体及氢气的混合气氛下,保持中心温区的温度为1050‑1070℃的条件下退火至少5h,获得纯化的单晶铜箔,其中,组件由含有杂质的多晶铜箔以及支撑多晶铜箔的载体构成,多晶铜箔为压延铜箔,惰性气体的流量为500‑600sccm,氢气的流量为30‑100sccm。该纯化方法不仅能够针对工业多晶铜箔直接净化,改善现有的纯化方法能耗大、制备难度高的问题,同时能够使工业多晶铜箔单晶化,提高产品性能。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114672878 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210357816.4 (22)申请日 2022.04.06 (71)申请人 松山湖材料实验室
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