EEPROM器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于北京
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EEPROM器件及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种EEPROM器件及其制备方法，该器件包括：衬底，衬底包括选择区和存储区，选择区开设有凹槽；选择栅，形成于选择区上，且选择栅填入所述凹槽中；浮栅，形成于存储区上。上述EEPROM器件中，衬底包括选择区和存储区，选择区中开设有凹槽，选择栅形成于选择区上且填入凹槽中，浮栅形成于存储区上，使得凹槽的侧壁和底部均为与选择栅对应的沟道的一部分，与选择栅直接形成在选择区的上表面相比，在选择栅投影在选择区上表面的投影面积不变的情况下，增加了选择栅的有效宽度，降低了选择栅的电阻，从而达到增加EEPR

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695365 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011619620.5 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址 2