半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其制备方法，包括如下步骤：形成结构层，包括第一区域及第二区域；结构层内形成有沟道通孔，第一区域内沟道通孔的密度大于第二区域内沟道通孔的密度；于结构层内形成栅极间隙，包括第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽；第一沟槽位于第一区域内，第三沟槽位于第二区域内，第二沟槽位于第一区域与第二区域的交界处，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度及第三沟槽的深度。本发明的半导体结构中，栅极间隙位于沟道通孔密度不同的第一区域及第二区域的交界处的第二沟槽深度小于位于第一区域及第二区域的第一沟槽及第三沟槽

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053121 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202211253791.X H10B 43/35 (2023.01)