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本发明公开了一种硅片外延生长的方法，包括：确定硅片外延生长之前升温阶段的第一加热功率、及硅片外延生长阶段的第二加热功率；在硅片外延生长之前升温阶段，使待处理硅片在所述第一加热功率下加热至预设温度；在硅片外延生长阶段，使待处理硅片在所述第二加热功率下进行外延生长。本发明中提供的硅片外延生长的方法，能够保证外延片在生长过程中既不会产生滑移线slip，又能够保证得到电阻率均匀性好的外延片。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116053119 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202310057030.5
(22)申请日 2023.01.20
(71)申请人 西安奕斯伟材料科
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