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一种高效发光的InP类量子点及其制备方法.pdfVIP

一种高效发光的InP类量子点及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种高效发光的InP类量子点，包括ZnSe或ZnS纳米晶簇的内核，InP层的第一厚壳、ZnSe或是ZnS的第二厚壳层；所述第一厚壳和第二厚壳层依次包裹于内核外侧。本发明制备得到的纳米颗粒具有高度结晶性和完整的核壳结构,非常利于提升InP量子点的发光效率和稳定性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114540008 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210052898.1 B82Y 20/00 (2011.01)

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