带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法，包括：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂p型金刚石外延层；n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；背面欧姆接触的制备；正面肖特基电极的制备。本发明针对现有金刚石肖特基二极管由于肖特基电极边缘的电场聚集效应导致器件击穿电压下降的问题，基于n型氧化镓选择性延生长技术，提出一种带n型保护环和场限环的金刚石肖特基二极管的制备方法，具有肖特基边缘峰值电场抑制能力强，器件击穿电压高，高温稳定性好等优点

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114530487 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202111662487.6 H01L 29/872 (2006.01) (22)申请日 2021.12