一种单晶薄膜的制备方法以及单晶超导约瑟夫森结的制备方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.34万字
约 13页
2023-05-10 发布于四川
举报
版权申诉

一种单晶薄膜的制备方法以及单晶超导约瑟夫森结的制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，退火处理；利用溅射外延方法于衬底上沉积获得单晶薄膜。溅射外延方法的参数为：以纯金属靶或者单晶Al2O3作为靶材，生长温度为950～1050℃，射频功率为80～120W、气氛为纯氮气气氛、气压为0.001～0.05Torr。采用溅射外延方法沉积获得高质量的单晶薄膜，解决现有技术中超导约瑟夫森结难以获得高质量的单晶多层膜的问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114525579 A (43)申请公布日 2022.05.24 (21)申请号 202111622837.6 C30B 29/10 (2006.01)