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2023-05-10 发布于四川
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半导体集成电路具备：p沟道型的第一晶体管，源极与第一电压节点电连接，栅极与第二电压节点电连接；n沟道型的第二晶体管，源极与第三电压节点电连接，栅极与第二电压节点电连接；耗尽型的n沟道型的第三晶体管，被电连接于第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极之间；p沟道型的第四晶体管，源极与第一电压节点电连接，栅极与第二晶体管的漏极和第三晶体管的源极之间的第一输出节点电连接；n沟道型的第五晶体管，源极与第三电压节点电连接，栅极与第四晶体管的栅极电连接，漏极与第四晶体管的漏极电连接；以及p沟道型的第六晶体管，栅极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114546024 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202111001515.X (22)申请日 2021.08.30 (30)优先权数据 2020-194339 202