高密度三维纵向存储器.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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高密度三维纵向存储器.pdf

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高密度三维纵向存储器(3D‑MV)包括低掺杂段3D‑MV和非圆孔型3D‑MV。低掺杂段3D‑MV不利用横向空间(指沿存储孔的半径方向)、而是利用纵向空间(指沿存储孔的深度方向)来保证存储元的正常读/写操作。非圆孔型3D‑MV含有多个非圆存储孔，非圆存储孔的横截面含有至少两对相交的平行边线，每对平行边线通过DUV光刻单次曝光形成、且最小间距小于50纳米。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551451 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202110574892.6 H01L 27/22 (2006.01)