半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，以及位于所述第一区表面的第一鳍部；在所述衬底表面形成隔离预制层，所述隔离预制层还位于所述第一鳍部侧壁；刻蚀所述第一鳍部，在所述隔离预制层内形成多个开口，所述开口侧壁暴露出所述隔离预制层；在所述开口侧壁形成阻挡层；在所述开口内形成沟道层。由于所述沟道层是采用沟道层材料在开口底部生长形成的，不需要通过先形成沟道材料层而后刻蚀得到，因此沟道层的应力由材料生长决定，不会产生因后续刻蚀导致的应力释放的情况，维持了沟道层的应力，不影响对沟道层载流

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496792 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011265509.0 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限