一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法，制备过程中采用向陶瓷膏料中低温造孔剂PEG，使得在后期的脱脂过程，氮化硅陶瓷的最大脱脂厚度提高至8mm，且脱脂时间仅需60h，脱脂率可达99％以上。本发明通过将PEG在200‑300℃挥发并且留下球形孔洞的特点，首先在氩气气氛下进行高分子的裂解及低温造孔剂的脱除，其中后者可在300℃几乎全部脱除，为后续小分子的逸出提供通道。该过程在陶瓷生坯脱脂过程中预先在坯体中留下通道，利于后续光敏树脂的高温脱出(避免开裂变形，提高极限脱脂厚度)。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114478049 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011272964.3 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人西安增材制造国家研