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一种提升LDO抗干扰能力的芯片版图结构.pdfVIP

一种提升LDO抗干扰能力的芯片版图结构.pdf

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    本发明揭示了一种芯片版图结构，其特征在于：所述芯片版图结构包括至少1个金属层，其中，每个金属层上设计出电感，芯片的VDD通过所述金属层连接到芯片中LDO的电源输入端。本发明的芯片版图结构利用金属层形成的电感改善LDO的抗电源干扰的能力。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496979 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111041439.5 (22)申请日 2021.09.06 (71)申请人 上海芯圣电子股份有限公司 地址 2

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