一种异质结太阳电池及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种异质结太阳电池及其制备方法.pdf

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本申请涉及光伏电池技术领域，公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，包括以下步骤：以N型单晶硅片为衬底，在N型单晶硅片的正面和反面分别形成二氧化硅隧道钝化层；在N型单晶硅片的正面形成宽带隙的N型多晶碳化硅层；在N型单晶硅片的反面形成P型多晶硅层；在N型单晶硅片的正面和反面分别形成掺硼氧化锌层；在N型单晶硅片的正面和反面的掺硼氧化锌层上形成金属电极。本申请所提供的异质结太阳电池的制备方法，无需制绒工序，从而避免了金属离子对电池片的污染以及KOH废液的处理工序，提升异质结太阳电池的性能同时又降低了生产

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464708 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210380144.9 (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人季华实验室地址 528200