一种场效应晶体管及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种场效应晶体管及其制造方法.pdf

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本发明实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，可降低短沟道效应的影响。一种场效应晶体管的制造方法，所述场效应晶体管具有源区、漏区、以及沟道区；所述场效应晶体管的制造方法包括：在半导体衬底上形成栅极氧化层；在所述沟道区，沿所述沟道长度的方向，所述栅极氧化层中靠近所述源区的部分为第一部分，所述栅极氧化层中靠近所述漏区的部分为第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496790 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011173860.7 (22)申请日 2020.10.28 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10