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一种基于深度学习的用于超紫外光刻的模拟仿真方法,涉及电磁正演仿真计算。包括小尺寸掩膜模拟仿真和大尺寸掩膜模拟仿真;小尺寸掩膜仿真功能用于进行与训练集尺寸(128nm×128nm)相同的掩膜模拟仿真,大尺寸掩膜仿真功能用于仿真尺寸大于训练集尺寸(256nm×256nm及以上)的掩膜模拟仿真。设计掩膜形状,建立双层U‑Net深度学习训练模型,输入需要仿真的光刻掩膜图像,输出掩膜堆叠上方平面上对应的远近场。可降低仿真所需的时长和占用的设备资源,具备与全波模拟相近的仿真精度,并满足仿真掩膜线宽变化范围为
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114326328 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202210020545.3 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人 厦门大学 地址 36
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