终端结构及其制造方法、半导体器件.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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本发明提供了一种终端结构及其制造方法、半导体器件，所述终端结构位于一衬底的终端区，所述衬底还包括元胞区，所述终端区围绕所述元胞区；所述终端结构包括：VLD分压环，形成于所述终端区的靠近所述元胞区的一端且向远离所述元胞区的另一端方向延伸，所述VLD分压环包括多个连接的掺杂环；沟槽截止环，形成于所述终端区的远离所述元胞区的所述另一端，所述沟槽截止环与所述VLD分压环之间间隔所述衬底，所述沟槽截止环的深度大于或等于最靠近所述沟槽截止环的掺杂环的深度。本发明的技术方案在避免耗尽区耗尽到划片道而形成漏电通

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335147 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111675351.9 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公