一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法.pdf

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一种花瓣状石墨烯场发射冷阴极的制备方法，采用热CVD法直接生长获得石墨烯阴极。由于石墨烯片层呈取向分布，该结构具有极大的比表面积，极大提高了石墨烯的场增强因子，同时降低了石墨烯与衬底之间由于大面积接触造成的声子散射，有利于场发射过程中焦耳热的快速传导，对提高石墨烯阴极场发射的稳定性具有重要的作用。场发射测试结果显示该产品完全满足作为场发射平面显示器件所要求的发射电流密度需达到1mA/cm2以上以及X射线管要求发射电流在几毫安以上的大电流发射指标，具有巨大的应用潜力。其另一优势就是采用了Si片作

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334583 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111543668.7 C23C 16/26 (2006.01)